記憶體拼反攻　華邦電盤中勁揚5％、南亞科彈升3％

▲臺股示意圖。（圖／記者湯興漢攝）

記者巫彩蓮／臺北報導

上週五（21）日美股收紅帶動今（24）日臺股止跌反彈，近期重挫記憶體族羣也跟着回神，華邦電（2344）盤中勁揚逾5%，攻勢最爲凌厲，而力積電（6770）、南亞科（2408）反彈逾3%，記憶體模組威剛（3260）、品安（8088）、預定本週五（28日）解除處置出關的創見（2451）皆維持紅盤之上。

AI伺服器產業帶動HBM記憶體明顯提升，美光、SK海力士、三星等三大廠將產能轉向HBM，而記憶體供給吃緊，指標股南亞科從9月5日53元附近，一路上攻11月13日178.5元，股價漲幅達2.3倍之多；同期間，華邦電亦由22.55元上攻到69.1元，漲幅達2倍之多。

惟上週國際股市拉回整理，記憶體獲利回吐賣壓出籠，股價呈現快速拉回格局，南亞科從170元回到140元，單週跌幅達11.6%，華邦電從66.3元，回到52.2元，單週跌幅13%。

記憶體產品報價上揚，但是市場也出現雜音，包括產能擴張、報價漲勢恐壓抑終場需求等。

而外資券商則是釐清相關疑慮，摩根士丹利證認爲，目前三大廠目前均將資源優先投入HBM4／HBM3e，高階產品已成主戰場，至於陸廠產能亦以HBM3e／DDR5爲主，要增加DDR4供給，成本與時間都不具吸引力，因此不必要過度擔憂DDR4產能增加。

此外，大摩強調，記憶體循環通常是四至六個季度的產業週期，受到AI需求強勁推動，這一波DDR4結構性供給短缺，價格調升幅度前所未見，合約價漲幅空間可能數倍。