臺股ETF十強 規模躍進

臺股連漲多日後，近日雖拉回修正，此波上揚仍帶動臺股ETF漲勢。根據統計，今年以來績效前十強的臺股ETF不僅漲幅都高達兩位數以上，規模成長率也同步達二位數。包括臺新臺灣IC設計（00947）、新光臺灣半導體30、兆豐臺灣晶圓製造、羣益半導體收益、中信關鍵半導體、野村臺灣新科技50等ETF，都有逾兩成的漲幅。

法人表示，近期記憶體及IC設計族羣表現亮眼，投資人佈局相關持股比重高的臺股ETF可一網打盡熱門個股，也不怕處置或漲停買不到相關個股。

臺新臺灣IC設計ETF研究團隊表示，2026年仍爲AI蓬勃發展的一年，其中臺灣對於IC設計產業的市佔目標，預計爲10年內從目前的全球市佔19%提高到40%。在AI運算對高頻寬記憶體（HBM）需求呈爆發式成長的背景下，全球產能排擠引發的結構性缺貨，將帶動記憶體報價進入長期上升軌道，使相關企業獲利迎來倍數成長的轉折點。

透過佈局IC設計與記憶體相關個股佔比高的臺股ETF，不失爲投資人蔘與此兩大投資熱潮的選擇，在AI硬體軍備競賽中搶佔最具爆發力的成長先機。

野村投信全球整合投資方案部主管遊景德分析，從AI需求來看，不只要求GPU效能，更需高速傳輸與儲存技術相配合。HBM因其堆疊式結構，可提供極高頻寬併兼具低功耗，是AI晶片不可或缺的關鍵元件，可視爲多層高速公路疊加的立體交通網，使資料讀寫速度大幅提升。

而NAND負責承載AI推論過程所產生的海量資料，屬於儲存端的重要角色；DRAM則關係到AI模型的短期記憶能力，缺一不可。

近年韓國記憶體大廠將產能大量轉向HBM，導致DRAM與NAND供給相對吃緊，預期到2027年前仍將面臨供不應求，臺灣供應鏈也有望持續受惠。在AI浪潮與先進製程推進的雙重利多下，對臺灣半導體產業長期展望維持樂觀。

※免責聲明：本文僅爲個人觀點與紀錄，而非建議。投資人申購前需自行評估風險，詳閱公開說明書，自負盈虧。