英特爾搶蘋果iPhone大單落空！　內幕分析臺積電仍擁獨佔地位

▲英特爾。（圖／路透社）

記者張靖榕／綜合報導

近來市場盛傳英特爾可能重新爭取到蘋果部分晶片訂單，範圍涵蓋入門級M系列處理器，及未來非Pro版本的iPhone晶片，引發半導體產業高度關注。不過，隨着更多產業內部聲音出現，關於「英特爾先進製程是否能實際用於 iPhone 晶片」的討論，答案正趨向於否定。

英特爾難打入iPhone晶片先進製程代工

業界說法，儘管蘋果與英特爾之間確實存在接觸與評估，但至少在可預見的未來，英特爾幾乎不可能成爲iPhone晶片的先進製程代工夥伴。

傳出蘋果評估採用英特爾18A-P製程

先前市場一度傳出，蘋果可能在2027年推出的低階M系列晶片，以及2028年的非Pro版iPhone晶片中，評估採用英特爾 18A-P製程。部分券商與產業媒體也曾指出，蘋果未來推出的專屬ASIC，可能搭配英特爾的EMIB封裝技術，並有消息稱，雙方已簽署保密協議，蘋果也取得18A-P製程的PDK樣本進行內部測試，不過這些進展對產業內部，並未排除對 iPhone 晶片採用英特爾先進製程的根本疑慮。

英特爾的策略限制

SemiWiki論壇有多名半導體產業人士指出，英特爾在18A與未來14A節點上，選擇全面採用背面供電（Backside Power Delivery, BSPD）樂倔，是最大的變數。相較之下，臺積電在先進製程中同時提供具備與不具備背面供電的不同選項，讓客戶能依產品需求選擇最合適的方案；英特爾則在尖端節點上全面押注 BSPD，缺乏替代設計彈性。

背面供電在理論上確實具備優勢，能縮短供電路徑、降低電壓降，並釋放正面佈線空間，有助於提升高頻運作穩定性與邏輯密度。但產業人士直言，這類優勢對行動晶片的實際效益有限，反而會放大「自我加熱效應」（Self-Heating Effect, SHE），增加散熱難度。

業內分析指出，採用BSPD的晶片，往往需要額外的散熱設計，才能維持與傳統架構相同的熱點溫度，甚至必須讓散熱系統的工作溫度比一般情況低約20°C，才能抵消熱累積效應。對於高度仰賴空冷、而且機殼溫度受限嚴格的iPhone而言，幾乎難以實現。

內部人士多認爲：英特爾短期內與臺積電還差得遠

基於上述多項技術現實，多數產業內部人士直言，英特爾在短期內爲蘋果 iPhone 代工先進製程晶片的機率，幾乎可視爲零。

不過，相較於iPhone，對散熱條件較爲寬鬆的M系列處理器，仍被認爲存在理論上的合作空間。但至少在iPhone這條最關鍵的產品線上，英特爾仍不能與臺積電一搏。