臺積電叛將「偷機密」坐上副總裁　專家揭死穴：救不起英特爾

記者柯沛辰／綜合報導

臺積電前資深副總羅唯仁涉嫌竊密並回鍋英特爾擔任副總裁，25日遭臺積電提告。業內專家分析，羅唯仁在半導體前段製程研發「已非沙場老手」，加上兩邊製程技術大不同，即便真的轉任英特爾，隻身一人也起不了太大作用。

臺積電25日向智慧財產及商業法院提起訴訟，指控羅任職期間簽有保密條款、離職後的競業禁止條款，卻在離職後立即轉任英特爾執行副總裁，有高度泄露營業秘密及機密資訊可能，因此採取法律行動。

▲羅唯仁涉竊密回鍋英特爾，遭臺積電提告。（圖／取自工研院）

《中央社》引述半導體專家看法指出，羅唯仁在臺積電任職期間，管理風格以強勢、嚴厲著稱，即便先前曾參與研發，但後期仍以管理層面爲主，早已不是半導體前段製程的第一線老將，又對中後段先進封裝技術相對陌生，即便跳去英特爾，也孤掌難鳴，對英特爾效益有限。

英媒《Tom’s Hardware》近日也分析，羅唯仁恐怕很難爲英特爾帶來幫助，原因是18A 製程在許多方面都與臺積電的 N2 和 A16 製程大不相同。舉例來說，18A 採用了圖案成形（pattern shaping）技術，而 N2 並沒有；A16 採用的是「超級電軌」（SPR）背面供電技術，而 18A 的「PowerVia」技術則是將電力輸送到電晶體的接觸點。

文中指出，英特爾的 18A 製程技術已經投入量產，只有自家工程師能夠對其進行調校，所以基於上述差異，臺積電的經驗對於英特爾的工程師來說，參考價值恐怕不大，但對於其競爭分析團隊而言卻相當寶貴。

至於更先進製程節點的資訊，英特爾的 14A 與臺積電的 A14 也有極大差異，因爲前者計劃在關鍵層採用高數值孔徑的極紫外光光刻設備，後者則依賴低數值孔徑的極紫外光光刻工具搭配多重曝光技術。

不過，羅唯仁身爲臺積電近年來先進技術研發的領導者之一，能夠帶給英特爾的，或許更多是在製程開發、製程整合與製造部門組織文化上的寶貴經驗。