三星考慮將MUF技術應用於服務器DRAM內存

《科創板日報》4日訊，三星正在考慮在其下一代DRAM中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用於3D堆棧 (3DS) 內存的MR MUF工藝，與TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試，該公司得出結論，MUF不適用於高帶寬內存 (HBM)，但非常適合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔 (TSV) 技術製造，主要用於服務器。 (TheElec)