南亞科、華邦電未納入 MSCI 成分股 法人點出這原因

南亞科及華邦電今日股價並未受MSCI成分股話題影響，早盤股價呈上漲走勢。 路透

南亞科（2408）及華邦電（2344）被國內投顧列爲2026年2月宣佈MSCI新增成分股的熱門標的，但11日清晨結果卻未納入MSCI成分股；MSCI MSCI（Morgan Stanley Capital International，明晟）不會解釋爲何不納入的原因，但高盛日前發表的看法指出，南亞科及華邦電過去三個月一直位於MSCI的處置名單之中，這次被納入的機率已降低很多。

南亞科及華邦電今日股價並未受MSCI成分股話題影響，早盤股價呈上漲走勢。法人機構表示，南亞科及華邦電等記憶體族羣股價震盪，主要受籌碼凌亂、封關前的短線交易盛行有關，產業基本面十分看好，但投資人對評價面看法不一，也因此出現股價在高檔起伏劇烈。

野村投信全球整合投資方案部主管暨野村臺灣智慧優選主動式ETF （00980A）經理人遊景德分析，從 AI 需求本質爲大量數據處理與吞吐，不只要求 GPU 效能，更需高速傳輸與儲存技術相配合。HBM（高頻寬記憶體）因其堆疊式結構，可提供極高頻寬併兼具低功耗，是 AI 晶片不可或缺的關鍵元件；可視爲多層高速公路疊加的立體交通網，使資料讀寫速度大幅提升。而 NAND 負責承載 AI 推論過程所產生的海量資料，屬於儲存端的重要角色；DRAM 則關係到 AI 模型的短期記憶能力，缺一不可。

近年韓國記憶體大廠將產能大量轉向 HBM，導致 DRAM 與 NAND 供給相對吃緊，預期至 2027 年前仍將面臨供不應求，臺灣供應鏈也有望持續受惠。

遊景德認爲，美國將「先進製程與記憶體」視爲國安級核心產業，希望將供應鏈向本土集中，凸顯記憶體與 AI 相關族羣的長線需求強勁。

羣益投顧指出，記憶體在價格與股價同步大幅反彈後，投資焦點已由「產業是否復甦」轉爲「獲利能見度、可持續性與評價差異」。記憶體已不適合全面性加碼，投資核心爲-具備利基型 DRAM、成熟製程記憶體或穩定客戶結構的廠商。供應鏈位置愈接近算力瓶頸，價值愈高的高階封測、記憶體測試與企業級模組等環節。

羣益投顧表示，記憶體產業已由循環性轉爲結構性供不應求，AI爲核心驅動力。AI發展的實質限制來自算力與記憶體頻寬，HBM爲突破運算瓶頸的關鍵元件，但其產能受限於無塵室空間與製程複雜度，供給彈性極低，形成整個DRAM產業的結構性約束。

HBM產能擠壓效應使非HBM DRAM同步轉爲供給吃緊，全球DRAM產能持續向HBM、DDR5等高階應用傾斜，排擠利基型與通用型DRAM產能，使成熟製程記憶體由「價格循環」轉爲「供給受限」。

NAND Flash市場進入供不應求，報價持續反彈主要原廠減產使供給收縮，加上AI驅動的Enterprise SSD需求旺盛，使市場轉向供不應求。預期記憶體市場的高成長將維持到2026年。

記憶體全產業鏈獲利趨勢（資料來源：羣益投顧）