美光告聯電竊DRAM機密和解　2跳槽工程師認罪《速審法》輕判

▲記憶體大廠美商美光公司。（圖／美光提供）

記者黃哲民／臺北報導

記憶體大廠美商美光科技公司於2017年向臺灣檢調單位告發，指控2名工程師涉竊取機密技術資料，帶槍投靠聯電子公司，使聯電與中國晉華公司快速研發出32奈米制程DRAM，智慧財產及商業法院更一審今（13日）依《營業秘密法》，判2名工程師各10月、6月徒刑，皆得易科罰金，均緩刑2年，可上訴。

涉案工程師何建廷與王永銘，一審被臺中地院各重判5年6月、4年6月，各併科罰金500萬元、400萬元且須沒收犯罪所得543萬餘元及152萬餘元，上訴二審智財商業法院審理後，改判2人各1年、6月徒刑，併科罰金各100萬元，且各緩刑4年與2年。

差別在於二審認定何、王2人不構成「意圖在大陸地區使用」的加重要件，最高法院發回更審後，智財商業法院更一審維持二審此部分見解，加上本案系屬一審至今，已審理逾8年尚未確定，且無可歸責被告事由，因此依《刑事妥速審判法》酌減其刑。

▲聯華電子公司（聯電）。（圖／記者高兆麟攝）

此外，時任聯電協理戎樂天是王男主管，被控指示王男運用竊取美光的技術加快研發，戎男一審被判刑6年6月、併科罰金600萬元，沒收犯罪所得161萬餘元。二審認定戎男雖參與研發，但沒參與跟中國晉華簽約合作等事項，改判戎男無罪，更一審也判戎男無罪。

至於聯電一審被判罰新臺幣1億元，二審改判罰2000萬元，且因聯電和美光達成和解，二審准許聯電緩刑2年，沒上訴已先確定。

本案源於晶圓代工大廠聯電於2016年1月間，與中國福建的晉華集成電路公司合作研發32奈米DRAM記憶體，晉華提供聯電7億美元研發資金，未來將在對岸量產，聯電同時在臺南科學園區第2廠區成立「新事業發展中心」執行本案。

何建廷原任臺灣美光公司量產整合部課長，2015年10月離職、同年11月到聯電專案技術部門（簡稱PM2）擔任經理，他違反與美光簽訂的「保密及智慧財產合約」，未刪除離職前從美光公司伺服器下載的DRAM製程相關營業秘密，反而帶到聯電繼續使用。

王永銘原任臺灣美光公司品質工程部副理，2016年4月26日辭職、2天后跳槽聯電，擔任專案技術二處（即PM2 ）元件部（即Device）技術經理，同樣違反與美光簽訂的「保密及智慧財產合約」，將離職前下載的美光DRAM製程數據等營業秘密資料，帶到聯電客服研發瓶頸、順利縮短時程，並因此升任經理。

更一審認爲何男、王男均明知本件竊取自美光的營業秘密，具有高度經濟價值，足以影響美光在高科技領域的競爭力，何男利用職務機會持有營業秘密卻逾越授權範圍使用，王男擅自非法重製營業秘密使用，造成美光受到損害。

合議庭考量何、王2人已認罪，並由聯電與臺灣美光公司達成和解，積極填補損害，獲得美光諒解，2人經過本案偵審教訓，應知所警惕，無再犯之虞，準2人緩刑、須付保護管束，且各應提供100小時、80小時義務勞務。