力積電賣銅鑼廠原因曝光 售廠後換取毛利升及納入美光後段HBM合作名單

力積電（6770）今日舉行法說會，經營階段公佈去年第4季財報中，也正式道出出售銅鑼廠原因：設備折舊包袱沉重。 售廠給美光後，換來後毛利提升及納入美光後段高頻寬記憶體（HBM）合作名單。

力積電今日法說會由總經理朱憲國主持並公佈去年第4季財報。力積電去年第4季營收受惠DRAM平均銷售單價上揚及美元升值，達到125億元，毛利率順利轉正爲6%，但扣除銅鑼廠，則爲17%，這也說明銅鑼廠產能利用率低及增列折舊攤提 ，是拖累營運的元兇。力積電去年單季仍虧損6.5億元，但前去年第3季虧損27.3億元，虧損明顯收斂。

朱憲國表示，記憶體市場供需由於結構性的失衡，客戶在去年受到市場供給短缺的氛圍下投片積極，預期供給缺口仍會持續到2026年下半年，晶圓代工價格持續向上。

朱憲國並說明包括DRAM，尤其DDR3及DDR4 DRAM，因高端AI伺服器佔據記憶體大廠高端DRAM產能，排擠了應用在PC、手機以及消費性電子裝置的中低端DRAM產能，進一步推升了包含DDR3及DDR4等利基型DRAM產品的市場價格。

SLC NAND同樣也因韓系大廠淡出使SLC NAND 的合約價與現貨價因供給減少而出現明顯上漲。

邏輯代工部分則因將銅鑼廠售予美光後壓縮總產能，自1月起調漲12吋代工價格；8吋厂部分AI伺服器與邊緣運算帶動功率元件需求如MOSFET客戶需求不減反增，二月起產能已無法完全滿足客戶需求。再加上公司考慮將部份竹南廠8吋無塵室改裝爲12吋先進封裝機臺所用，8吋總產能可能因此限縮而導致產能吃緊，公司8吋晶圓代工價格計劃自3月起開始調升。未來GaN及矽電容會是另一波成長動能。

至於法人關注出售銅鑼廠給美光後，公司將秉持不裁員、不中斷營運的目標的原則，陸續轉回新竹廠區。美光已預付HBM後段晶圓製造（PWF）產能，將力積電正式納入其先進封裝供應鏈，與力積電建立長期的代工夥伴關係。美光也將協助力積電精進利基型DRAM代工製程技術。透過與世界級記憶體大廠的合作，公司將得以優化自身財務結構、營運體質及技術藍圖。不過公司不透露詳細合約細節。並強調與塔塔電子的海外建廠合作案目前進展順利，並不會因爲銅鑼廠售予美光有任何影響。

朱憲國表示，現階段技術服務費已累計入帳達1.43億美元且無任何延遲。除建廠合作外，雙方也已就進一步共同開發印度半導體邏輯代工市場展開合作。