打造旗艦設施 美拚半導體創新

美國總統拜登政府十月卅一日宣佈，將投資約八億二千五百萬美元（約臺幣二百六十三億元）在紐約州首府阿爾巴尼打造半導體研發旗艦設施。

路透報導，美國商務部與美國國家半導體技術中心的營運商Natcast發佈聯合聲明指出，紐約州這座設施，有望推動極紫外光（ＥＵＶ）技術創新。

聯邦官員選定阿爾巴尼奈米科技綜合園區爲研究尖端半導體科技極紫外光曝光機的國家總部。

聯邦參議院多數黨領袖舒默表示，這座實驗室將擁有全球最先進晶片製造設備，並允許半導體產業和大學的研究人員在這裡展開合作。

舒默說：「當你在這裡進行高端研究，你可以製造出全球最先進晶片，除可確保我們的軍隊掌握優勢，還能確保我們的經濟與企業處於領先地位。」

這座隸屬於國家半導體技術中心的極紫外光中心預計明年啓用。舒默指：「這將使紐約州北部成爲半導體研究中心，不只對美國，對全世界而言也是。」

商務部尚未宣佈另外二座國家技術中心將落腳何處。

這座最新半導體研究設施源自二○二二年晶片法，該法案旨在創造更多高科技工作機會，並協助美國與中國大陸等對手競爭。拜登政府已設定目標，要讓美國製造全球百分之廿先進晶片。目前全球超過九成先進晶片來自臺灣。