ASML EUV光源技術突破 2030年晶片產量可望增五成

ASML表示，找到方法強化晶片製造設備的光源功率，能讓晶片產量到2030年最多增加五成。美聯社

半導體微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）表示，找到方法強化晶片製造設備的光源功率，能讓晶片產量到2030年最多增加五成，有助ASML維持優勢，抵禦在美國與中國大陸的新興對手。

ASML是全球唯一商用極紫外光（EUV）微影設備的製造商，這種設備是臺積電、英特爾等生產先進晶片的關鍵工具。該公司改善晶片製造設備中，最具技術挑戰的部分，來拉開與對手的距離 ，也就是打造出具備適當功率與特質的EUV光線，以便大量生產晶片。

ASML研究員發現方法，能將EUV光源功率從現今的600瓦特，提高至1,000瓦特。這麼做的最大好處是，光源功率愈強，每小時能生產更多晶片，有助降低每個晶片的成本。

晶片印製方法類似相片，用EUV光線照在塗有光阻劑的矽晶圓上。EUV光源功率愈強，晶片曝光時間愈短。ASML高層Teun van Gogh表示，每部機器到2030年每小時應該能處理約330片矽晶圓，高於現在的220片，相當於產量提高五成。