愛普打入CoWoS供應鏈

愛普董事長陳文良。愛普／提供

AI伺服器與高效能運算晶片（HPC）功耗整合度持續提升，先進封裝中對電源完整性與高速訊號穩定度的要求同步提高，供應鏈透露，愛普（6531）S-SiCap矽電容產品，已切入臺積電與日月光CoWoS相關先進封裝供應鏈，用於美系雲端大咖ASIC晶片等當紅領域，業績迎來爆發期。

業界分析，愛普打入CoWoS供應鏈，關鍵在解決CoWoS架構演進下的結構性痛點。目前CoWoS技術正朝CoWoS-L與CoWoS-R等新架構演進，其中，CoWoS-R採用有機重分佈層（RDL）取代傳統矽中介層，無法進行深溝槽製程，CoWoS-L則以局部矽互連（LSI）搭配 RDL 混合設計，僅在有限區域可配置電容。

愛普S-SiCap打入臺積電、日月光CoWoS供應鏈

換言之，過去仰賴在中介層「不斷挖深、挖窄」來提升電容密度的作法，正逐步逼近物理與製程極限，愛普的矽電容產品能作爲全新的解決方案。

業界說明，愛普的S-SiCap Gen3產品已在CoWoS-S應用中率先量產，並承接部分外溢訂單，最新一代Gen4電容密度再提升逾五成，且已導入嵌入式基板設計，瞄準未來CoWoS-L與高功耗ASIC封裝需求，相較傳統深溝槽電容，S-SiCap在厚度更薄、單位面積電容密度更高，亦更有利於系統級整合。

愛普總經理洪志勳曾說，隨着AI與高效能運算應用快速成長，市場對電源完整性與高速訊號傳輸的要求日益嚴苛，愛普透過S-SiCap產品線，將矽電容以分離式及中介層方式整合於各類先進封裝架構，兼具高效能、高整合度與設計彈性，滿足新世代AI與HPC系統的需求。

在產品策略上，愛普並未押注單一路線，而是同步佈局IPC（Interposer with Silicon Capacitor）與IPD（Embedded Substrate） 兩種應用型態。

其中，IPC着重於中介層內的高密度電容整合，已完成客戶端封裝與可靠度驗證，並進入多reticle放大量產；IPD則鎖定基板嵌入應用，每片基板可配置數十至上百顆矽電容，市場規模與長期成長性更受矚目。

隨着CoWoS-L與新一代AI ASIC陸續導入，矽電容在先進封裝中的角色持續放大，愛普已與一線晶圓代工與封測廠建立合作關係，透過製程夥伴完成量產驗證，供應鏈地位逐步確立，也有望爲後續營運帶來強大動能。