15年最緊記憶體荒來了？高盛點名「5檔大黑馬」　美光慘遭降評

去年下半年開始，記憶體業績齊報佳音。（圖／本報資料照片）

全球科技產業正逐步走向一波前所未見的記憶體供需緊張局面。高盛最新研究報告指出，未來兩年全球記憶體市場的缺貨幅度，可能遠高於市場先前預期，而且並非單一產品失衡，而是DRAM、NAND與HBM三大產品線同步面臨供應壓力。在AI需求高度集中、產能擴張彈性有限的情況下，即使價格持續走高，終端需求受到的抑制仍相對有限，顯示記憶體產業的低價循環恐已告一段落。

高盛大幅上修DRAM市場的供不應求幅度，預估2026年與2027年全球DRAM將分別出現約4.9%與2.5%的供需缺口，其中2026年被形容爲近15年來最緊張的一年。需求快速上升的主因，來自AI伺服器建置帶動的記憶體使用量激增。

報告指出，2026年與2027年伺服器DRAM（不含HBM）需求成長率預估將達39%與22%；若將HBM需求納入計算，伺服器相關用量佔全球DRAM需求的比重將升至53%與57%，正式跨越過半門檻，成爲市場最重要的需求來源。

然而供應端的擴產速度難以跟上需求。高盛指出，SK海力士新增產能多集中於HBM生產，而三星P5廠與SK海力士龍仁新廠最快也要到2027年下半年纔可能量產，在此之前供應成長空間有限，因此高盛預估2026年與2027年DRAM供給年增率僅約21%與19%。

市場一度期待大陸記憶體廠能緩解全球供應壓力，但高盛認爲，在美國相關限制措施下，美系雲端服務業者不會採用長江存儲或長鑫存儲產品，因此即使大陸產能增加，對全球市場結構的影響仍相對有限。

除了DRAM之外，NAND市場同樣面臨供需緊繃。高盛預估，2026年與2027年NAND供不應求幅度將達4.2%與2.1%，可能成爲產業歷來最顯著的缺口之一。推動需求上升的主因仍來自AI伺服器與企業級SSD應用，高盛將企業級SSD需求成長率上修至2026年58%、2027年23%，並預期其在整體NAND需求中的佔比將攀升至36%與39%。

相較之下，傳統終端市場動能轉弱。高盛下修行動裝置與PC市場的記憶體需求預估，反映出裝置出貨成長趨緩，以及價格上漲壓抑容量提升。報告指出，2026年行動NAND需求可能出現零成長，PC端SSD需求亦接近停滯，均爲歷史相對低檔水準。

在高階記憶體方面，高盛上調HBM市場規模預測，估計2026年與2027年整體市場將達540億美元與750億美元。報告特別提到，ASIC晶片對HBM的需求正在快速增加，預期到2027年佔比將提升至36%。即便主要供應商加快產能擴張，高盛仍預估HBM市場在2026年與2027年將分別出現約5.1%與4.0%的供需缺口。

在投資建議方面，高盛維持對三星電子與SK海力士的正面看法，認爲兩家公司將是記憶體緊缺格局下的主要受益者。分析師預估，三星2026年營業利益可能大幅成長，股東權益報酬率（ROE）有機會攀升至30%；SK海力士則因AI記憶體佈局領先，2026年DRAM營運利潤率可能接近80%，ROE甚至有機會突破70%。

相對而言，高盛將美光評級下調至中性，理由是多數利多已反映於股價，且未來HBM定價可能因競爭增加而承壓，風險報酬比趨於平衡。

此外，高盛亦點名東京電子（TEL）、Ulvac與Disco爲此波記憶體擴產循環中值得關注的設備供應商。